Samsung осваивают 40 нм технологию производства

40 нм технология производства оперативной памяти становится все более перспективной. Компания Samsung не могла проигнорировать эту тенденцию и заявила, что начнет массово производить микросхемы, основанные на новом техпроцессе.

Преимущества 40 нм технологии очевидны: пониженное энергопотребление, увеличенная плотной записи и гораздо меньшие издержки производства. Таким образом, в продажу скоро поступят новые планки памяти типа DDR3, работающие на частоте 1600 Мгц и имеющие плотность записи до четырех гигабит.

Новинки будут работать при номинальном напряжении 1.35 В и 1.5 В, в зависимости от конкретной модели. Каждая планка оперативной памяти нового поколения может иметь объем до 32 Гб, при использовании регистровой организации.

В будущем Samsung хочет перевести всю свою память стандарта DRAM на новую 40 нм технологию.